注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
SI3851DV-T1-GE3
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI3851DV-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TSOP-6
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
SI3851DV-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
SI3851DV-T1-GE3详情
技术参数
Vishay SI3851DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Continuous Drain Current Id
1.6
RoHS
Compliant
Unit Weight
0.000705 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
SI3851DV-GE3
Manufacturer
Brand
Vishay / Siliconix
Tradename
TrenchFET
系列
SI3
包装
Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
MOSFETs
最大功率耗散
830 mW
技术
Si
功率耗散
漏源电压 (Vdss)
-30 V
产品类别
MOSFET
连续放电电流(ID)
1.6 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
信道型
P
漏源电阻
200 mΩ
宽度
1.65 mm
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
SI3851DV-T1-GE3拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
购物车 (0件产品)