SI3851DV-T1-GE3
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Vishay SI3851DV-T1-GE3

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型号

SI3851DV-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI3851DV-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TSOP-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SI3851DV-T1-GE3 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay stock available at utmel

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SI3851DV-T1-GE3详情

Vishay SI3851DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TSOP-6

  • Continuous Drain Current Id

    1.6

  • RoHS

    Compliant

  • Unit Weight

    0.000705 oz

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Part # Aliases

    SI3851DV-GE3

  • Manufacturer

    Vishay

  • Brand

    Vishay / Siliconix

  • Tradename

    TrenchFET

  • 系列

    SI3

  • 包装

    Reel

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    MOSFETs

  • 最大功率耗散

    830 mW

  • 技术

    Si

  • 功率耗散

    830 mW

  • 漏源电压 (Vdss)

    -30 V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 连续放电电流(ID)

    1.6 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    30 V

  • 信道型

    P

  • 漏源电阻

    200 mΩ

  • 产品类别

    MOSFET

  • 宽度

    1.65 mm

  • 高度

    1.1 mm

  • 长度

    3.05 mm

0个相似型号

SI3851DV-T1-GE3拓展信息

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