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技术文档
型号
SI4442DY-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI4442DY-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 22A; Idm: 60A; 3.5W
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SI4442DY-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI4442DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
22A
Pulsed drain current
60A
Case
SO8
Gate-source voltage
±12V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
3.5W
Gate charge
50nC
On-state resistance
7.5mΩ
SI4442DY-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
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