注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
SI4856DY-T1
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI4856DY-T1
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
起订量
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SI4856DY-T1详情
技术参数
Vishay SI4856DY-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
8
Case/Package
SOIC N
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
包装
卷带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
功率耗散
1.6 W
连续放电电流(ID)
12 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
SI4856DY-T1拓展信息
公司资质
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