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技术文档
型号
SI5908DC-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI5908DC-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A
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SI5908DC-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI5908DC-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
5.9A
Pulsed drain current
20A
Gate-source voltage
±8V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.001g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2.1W
Gate charge
7.5nC
On-state resistance
52mΩ
SI5908DC-T1-GE3拓展信息
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SI5908DC-T1-GE3零件
Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
型号：SI4539ADY.
型号：IRFR9014CPBF
型号：SI5402DC-T1
库存：3106
型号：SI4559EY
库存：20
型号：SI7810DN
库存：21
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