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技术文档
型号
SI6953DQ-T1
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI6953DQ-T1
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8
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SI6953DQ-T1详情
技术参数
Vishay SI6953DQ-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
质量
157.991892 mg
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
17 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1 W
通道数量
2
接通延迟时间
9 ns
上升时间
12 ns
漏源电压 (Vdss)
-20 V
连续放电电流(ID)
1.9 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源电阻
170 mΩ
宽度
4.4 mm
高度
1 mm
长度
3 mm
SI6953DQ-T1拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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