注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Vishay SI7894ADP-T1-E3

Name: SI7894ADP-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI7894ADP-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SI7894ADP-T1-E3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI7894ADP-T1-E3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

PowerPAK-SO-8

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 17 A, 30 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

SI7894ADP-T1-E3 Vishay TRANSISTOR 17 A, 30 V, 0.0036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SI7894ADP-T1-E3详情

技术参数

Vishay SI7894ADP-T1-E3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PowerPAK-SO-8
底架

表面贴装
引脚数

8
Unit Weight

0.017870 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000
Mounting Styles

SMD/SMT
Part # Aliases

SI7894ADP-T1
Manufacturer

Vishay
Brand

Vishay / Siliconix
Tradename

TrenchFET
RoHS

Details
Turn Off Delay Time

190 ns
系列

SI7
包装

Reel
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
子类别

MOSFETs
最大功率耗散

1.9 W
技术

Si
元素配置

Single
功率耗散

1.9 W
接通延迟时间

22 ns
上升时间

15 ns
漏源电压 (Vdss)

30 V
产品类别

MOSFET
连续放电电流(ID)

17 A
栅极至源极电压(Vgs)

12 V
漏源击穿电压

30 V
漏源电阻

3.6 mΩ
产品类别

MOSFET
宽度

5.15 mm
高度

1.04 mm
长度

6.15 mm
辐射硬化

无

0个相似型号

SI7894ADP-T1-E3拓展信息

热销零件