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技术文档
型号
SI8401DB-T1-E1
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI8401DB-T1-E1
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -10A
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SI8401DB-T1-E1详情
技术参数
VISHAY SI8401DB-T1-E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-4.9A
Pulsed drain current
-10A
Case
MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage
±12V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.001g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2.77W
Gate charge
17nC
On-state resistance
95mΩ
SI8401DB-T1-E1拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
型号：SI4539ADY.
库存：212
型号：IRFR9014CPBF
型号：SI5402DC-T1
型号：SI4559EY
型号：SI7810DN
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