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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥4.532898
10
¥4.276316
100
¥4.034261
500
¥3.805908
1000
¥3.590481
型号
SI8429DB-T1-E1
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI8429DB-T1-E1
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
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SI8429DB-T1-E1详情
技术参数
VISHAY SI8429DB-T1-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8V
Drain current
-11.7A
Pulsed drain current
-25A
Case
MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage
±5V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.001g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
6.25W
Gate charge
32nC
On-state resistance
98mΩ
SI8429DB-T1-E1拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:939
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
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