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技术文档
型号
SI8481DB-T1-E1
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI8481DB-T1-E1
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.7A; Idm: -30A
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SI8481DB-T1-E1详情
技术参数
VISHAY SI8481DB-T1-E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-9.7A
Pulsed drain current
-30A
Case
MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage
±8V
Mounting
SMD
Kind of package
reel,
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.001 g
Power dissipation
2.8W
Gate charge
81nC
On-state resistance
39mΩ
SI8481DB-T1-E1拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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