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技术文档
型号
SI8802DB-T2-E1
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI8802DB-T2-E1
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
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SI8802DB-T2-E1详情
技术参数
VISHAY SI8802DB-T2-E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Gross weight
0.001 g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel,
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±5V
Pulsed drain current
15A
Drain current
3.5A
Drain-source voltage
8V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
N-MOSFET
Power dissipation
0.9W
Gate charge
6.5nC
On-state resistance
135mΩ
SI8802DB-T2-E1拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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