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VISHAY SI8817DB-T2-E1

Name: SI8817DB-T2-E1
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SI8817DB-T2-E1
Price: 1.25 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI8817DB-T2-E1

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI8817DB-T2-E1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A

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SI8817DB-T2-E1 VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A

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SI8817DB-T2-E1详情

技术参数

VISHAY SI8817DB-T2-E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

P-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

-20V
Drain current

-2.9A
Pulsed drain current

-15A
Gate-source voltage

±8V
Mounting

SMD
Kind of package

reel,
Kind of channel

enhanced
Gross weight

0.001 g
Power dissipation

0.9W
Gate charge

19nC
On-state resistance

0.32Ω

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