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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥1.25235
10
¥1.181462
100
¥1.114584
500
¥1.051499
1000
¥0.991982
型号
SI8817DB-T2-E1
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI8817DB-T2-E1
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
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SI8817DB-T2-E1详情
技术参数
VISHAY SI8817DB-T2-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-2.9A
Pulsed drain current
-15A
Gate-source voltage
±8V
Mounting
SMD
Kind of package
reel,
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.001 g
Power dissipation
0.9W
Gate charge
19nC
On-state resistance
0.32Ω
SI8817DB-T2-E1拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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