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技术文档
型号
SI9926BDY-E3
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI9926BDY-E3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
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SI9926BDY-E3详情
技术参数
Vishay SI9926BDY-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
质量
506.605978 mg
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
31 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.14 W
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
接通延迟时间
35 ns
上升时间
50 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
连续放电电流(ID)
6.2 A
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
漏源击穿电压
漏源电阻
20 mΩ
宽度
4 mm
高度
1.55 mm
长度
5 mm
无铅
SI9926BDY-E3拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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