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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥6.010311
10
¥5.670105
100
¥5.349154
500
¥5.046372
1000
¥4.760729
型号
SIAA00DJ-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIAA00DJ-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40A; Idm: 80A
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SIAA00DJ-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIAA00DJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
40A
Pulsed drain current
80A
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
19.2W
Gate charge
24nC
On-state resistance
7.5mΩ
SIAA00DJ-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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型号:SI7810DN
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