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技术文档
型号
SIHA18N60E-GE3
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SIHA18N60E-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-220-3 Full Pack
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor,
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SIHA18N60E-GE3详情
技术参数
Vishay SIHA18N60E-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-220 Full Pack
Continuous Drain Current Id
18
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
Brand
Vishay / Siliconix
RoHS
Details
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
34W (Tc)
厂商
Vishay Siliconix
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A (Tc)
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);
系列
SiHA18N60E
包装
Reel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
子类别
MOSFETs
技术
Si
功率耗散
34
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
202mOhm @ 9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1640 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
92 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±30V
产品类别
MOSFET
信道型
N
场效应管特性
漏源电阻
176 mΩ
SIHA18N60E-GE3拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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