注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
SIHA21N60EF-GE3
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SIHA21N60EF-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-220-3 Full Pack
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.176ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
SIHA21N60EF-GE3详情
技术参数
Vishay SIHA21N60EF-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
TO-220 Full Pack
Continuous Drain Current Id
21
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
Brand
Vishay / Siliconix
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Product Status
活跃
系列
SiHA21N60EF
包装
MouseReel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
子类别
MOSFETs
技术
Si
功率耗散
35
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2030 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±30V
产品类别
MOSFET
信道型
N
场效应管特性
漏源电阻
153 mΩ
SIHA21N60EF-GE3拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:848
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
购物车 (0件产品)