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技术文档
型号
SIHA24N80AE-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHA24N80AE-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
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SIHA24N80AE-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHA24N80AE-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
5A
Pulsed drain current
51A
Case
TO220FP
Gate-source voltage
±30V
Mounting
THT
Kind of package
tube
Kind of channel
enhanced
Gross weight
2g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
35W
Gate charge
89nC
On-state resistance
184mΩ
SIHA24N80AE-GE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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