SIHB085N60EF-GE3
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Vishay SIHB085N60EF-GE3

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型号

SIHB085N60EF-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SIHB085N60EF-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

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SIHB085N60EF-GE3 Vishay E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

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SIHB085N60EF-GE3详情

Vishay SIHB085N60EF-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 供应商器件包装

    D²PAK (TO-263)

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    SIHB085

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    34A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Vishay Siliconix

  • Power Dissipation (Max)

    184W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    EF

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    84mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2733 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    63 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 场效应管特性

    -

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SIHB085N60EF-GE3拓展信息

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