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技术文档
型号
SIHB17N80AE-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHB17N80AE-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W
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SIHB17N80AE-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHB17N80AE-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
10A
Pulsed drain current
32A
Case1
TO263
Case
D2PAK
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
2g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Kind of package1
tape
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±30V
Power dissipation
179W
Gate charge
62nC
On-state resistance
0.29Ω
SIHB17N80AE-GE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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