注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIHB25N50E-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHB25N50E-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
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SIHB25N50E-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHB25N50E-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
2g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Kind of package1
tape
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±30V
Case
D2PAK
Case1
TO263
Pulsed drain current
50A
Drain current
16A
Power dissipation
250W
Gate charge
86nC
On-state resistance
0.145Ω
SIHB25N50E-GE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
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