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价格梯度
内地含税价
1
¥14.337227
10
¥13.525682
100
¥12.760081
500
¥12.037813
1000
¥11.356429
型号
SIHD2N80E-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHD2N80E-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W
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SIHD2N80E-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHD2N80E-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1.8A
Pulsed drain current
5A
Case1
TO252
Case
DPAK
Gate-source voltage
±30V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
2g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
62.5W
Gate charge
19.6nC
On-state resistance
2.75Ω
SIHD2N80E-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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