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技术文档
型号
SIHFBE30S-GE3
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SIHFBE30S-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor Power MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin TO-263
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SIHFBE30S-GE3详情
技术参数
Vishay SIHFBE30S-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
D²PAK (TO-263)
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Product Status
活跃
Mounting Styles
SMD/SMT
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
78 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
800 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
SIHFBE30S-GE3拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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