注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIHFR010-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHFR010-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252
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SIHFR010-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHFR010-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50V
Drain current
8.2A
Pulsed drain current
33A
Case1
TO252
Case
DPAK
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
25W
Gate charge
10nC
On-state resistance
0.2Ω
SIHFR010-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
型号：SI4539ADY.
库存：939
型号：IRFR9014CPBF
型号：SI5402DC-T1
型号：SI4559EY
型号：SI7810DN
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