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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥57.794192
10
¥54.52282
100
¥51.436628
500
¥48.525116
1000
¥45.778411
型号
SIHG70N60EF-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHG70N60EF-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AC
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SIHG70N60EF-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHG70N60EF-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
45A
Pulsed drain current
229A
Case
TO247AC
Gate-source voltage
±30V
Mounting
THT
Kind of package
tube
Kind of channel
enhanced
Gross weight
5g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
520W
Gate charge
380nC
On-state resistance
38mΩ
SIHG70N60EF-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:149
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
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