注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIHL510STRL-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHL510STRL-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263
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SIHL510STRL-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHL510STRL-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
2g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Kind of package1
tape
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±10V
Case
D2PAK
Case1
TO263
Pulsed drain current
18A
Drain current
4A
Drain-source voltage
100V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
N-MOSFET
Power dissipation
43W
Gate charge
6.1nC
On-state resistance
760mΩ
SIHL510STRL-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
型号：SI4539ADY.
库存：212
型号：IRFR9014CPBF
型号：SI5402DC-T1
型号：SI4559EY
型号：SI7810DN
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