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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥18.149413
10
¥17.122086
100
¥16.152915
500
¥15.238601
1000
¥14.376033
型号
SIHP30N60E-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHP30N60E-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB
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SIHP30N60E-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHP30N60E-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
2g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Mounting
THT
Gate-source voltage
±30V
Case
TO220AB
Pulsed drain current
65A
Drain current
18A
Drain-source voltage
600V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
N-MOSFET
Power dissipation
250W
Gate charge
130nC
On-state resistance
0.125Ω
SIHP30N60E-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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