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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥4.891476
10
¥4.6146
100
¥4.353393
500
¥4.106981
1000
¥3.874505
型号
SIHP5N50D-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHP5N50D-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
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SIHP5N50D-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHP5N50D-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
3.4A
Pulsed drain current
10A
Case
TO220AB
Gate-source voltage
±30V
Mounting
THT
Kind of package
tube
Kind of channel
enhanced
Gross weight
2g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
104W
Gate charge
20nC
On-state resistance
1.5Ω
SIHP5N50D-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
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