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价格梯度
内地含税价
1
¥16.416929
10
¥15.48767
100
¥14.611008
500
¥13.783973
1000
¥13.003742
型号
SIHU4N80AE-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHU4N80AE-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W
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SIHU4N80AE-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHU4N80AE-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
2.7A
Pulsed drain current
11A
Case1
TO251
Case
IPAK
Gate-source voltage
±30V
Mounting
THT
Kind of package
tube
Kind of channel
enhanced
Gross weight
2g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
69W
Gate charge
32nC
On-state resistance
1.27Ω
SIHU4N80AE-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
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库存:20
型号:SI7810DN
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