注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIHU6N62E-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHU6N62E-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; IPAK,TO251
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SIHU6N62E-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHU6N62E-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
2g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Mounting
THT
Gate-source voltage
±30V
Case
IPAK
Case1
TO251
Pulsed drain current
12A
Drain current
4A
Drain-source voltage
620V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
N-MOSFET
Power dissipation
78W
Gate charge
34nC
On-state resistance
0.9Ω
SIHU6N62E-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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