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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥15.326078
10
¥14.458568
100
¥13.640155
500
¥12.868067
1000
¥12.139693
型号
SIHU6N80AE-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIHU6N80AE-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
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SIHU6N80AE-GE3详情
技术参数
VISHAY SIHU6N80AE-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
3.2A
Pulsed drain current
10A
Case1
TO251
Case
IPAK
Gate-source voltage
±30V
Mounting
THT
Kind of package
tube
Kind of channel
enhanced
Gross weight
2g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
62.5W
Gate charge
22.5nC
On-state resistance
0.95Ω
SIHU6N80AE-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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