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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥15.719938
10
¥14.83013
100
¥13.990691
500
¥13.198764
1000
¥12.451661
型号
SIJA52DP-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIJA52DP-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 48W
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SIJA52DP-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIJA52DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
60A
Pulsed drain current
150A
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
48W
Gate charge
150nC
On-state resistance
2.3mΩ
SIJA52DP-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:212
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
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