注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIJA58DP-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIJA58DP-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 109A; Idm: 150A
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SIJA58DP-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIJA58DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
109A
Pulsed drain current
150A
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
56.8W
Gate charge
75nC
On-state resistance
3.6mΩ
SIJA58DP-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
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