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技术文档
型号
SIRC06DP-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIRC06DP-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
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SIRC06DP-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIRC06DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
60A
Pulsed drain current
100A
Case
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
-16...20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
32W
Gate charge
58nC
On-state resistance
4mΩ
SIRC06DP-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
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品牌:Vishay
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