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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥3.833788
10
¥3.616777
100
¥3.412061
500
¥3.21892
1000
¥3.036719
型号
SIRC10DP-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIRC10DP-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
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SIRC10DP-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIRC10DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
60A
Pulsed drain current
150A
Case
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
-16...20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
27.5W
Gate charge
36nC
On-state resistance
5.2mΩ
SIRC10DP-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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