注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIS110DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIS110DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 11.4A; Idm: 20A
起订量
--最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
SIS110DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIS110DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
11.4A
Pulsed drain current
20A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
15W
Gate charge
13nC
On-state resistance
70mΩ
SIS110DN-T1-GE3拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
型号：SI4539ADY.
库存：346
型号：IRFR9014CPBF
型号：SI5402DC-T1
库存：3106
型号：SI4559EY
库存：20
型号：SI7810DN
库存：21
购物车 (0件产品)
我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
哦! 它是空的。
在线咨询
