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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥4.234863
10
¥3.995157
100
¥3.769013
500
¥3.555675
1000
¥3.354405
型号
SIS434DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIS434DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A; 33W
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SIS434DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIS434DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
17.6A
Pulsed drain current
60A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.025g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
33W
Gate charge
40nC
On-state resistance
7.6mΩ
SIS434DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:939
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型号:SI5402DC-T1
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型号:SI7810DN
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