注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
SIS903DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIS903DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -40A
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SIS903DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIS903DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
1g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Kind of package1
tape
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±8V
Case
PowerPAK® 1212-8
Pulsed drain current
-40A
Drain current
-6A
Drain-source voltage
-20V
Power dissipation
14.8W
Gate charge
42nC
On-state resistance
40mΩ
SIS903DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
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