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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥4.288019
10
¥4.045297
100
¥3.816323
500
¥3.600301
1000
¥3.39651
型号
SISA35DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SISA35DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A
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SISA35DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SISA35DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-16A
Pulsed drain current
-50A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
15W
Gate charge
42nC
On-state resistance
30mΩ
SISA35DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:346
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库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
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