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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥15.766832
10
¥14.874367
100
¥14.032427
500
¥13.238134
1000
¥12.48881
型号
SISS08DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SISS08DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 156.4A; Idm: 300A
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SISS08DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SISS08DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
156.4A
Pulsed drain current
300A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
-16...20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
42W
Gate charge
82nC
On-state resistance
1.87mΩ
SISS08DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
型号:SI4559EY
库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
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