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技术文档
型号
SISS10DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SISS10DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 36W
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SISS10DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SISS10DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
1g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Kind of package1
tape
Mounting
SMD
Gate-source voltage
-16...20V
Case
PowerPAK® 1212-8
Pulsed drain current
150A
Drain current
60A
Drain-source voltage
40V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
N-MOSFET
Power dissipation
36W
Gate charge
75nC
On-state resistance
3.6mΩ
SISS10DN-T1-GE3拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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