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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥13.070449
10
¥12.330614
100
¥11.63265
500
¥10.974198
1000
¥10.353021
型号
SISS32DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SISS32DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 150A
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SISS32DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SISS32DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
50.3A
Pulsed drain current
150A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
42W
Gate charge
42nC
On-state resistance
8.7mΩ
SISS32DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
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库存:3106
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型号:SI7810DN
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