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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥10.894525
10
¥10.277857
100
¥9.69609
500
¥9.147257
1000
¥8.629485
型号
SISS63DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SISS63DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -102A; Idm: -200A
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SISS63DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SISS63DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-102A
Pulsed drain current
-200A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±12V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
42.1W
Gate charge
236nC
On-state resistance
7mΩ
SISS63DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
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型号:SI7810DN
库存:21
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