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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥12.939511
10
¥12.207085
100
¥11.51612
500
¥10.864266
1000
¥10.249308
型号
SISS73DN-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SISS73DN-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W
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SISS73DN-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SISS73DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Technology1
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-12.9A
Pulsed drain current
-30A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
42.1W
Gate charge
22nC
On-state resistance
0.125Ω
SISS73DN-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
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