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价格梯度
内地含税价
1
¥9.88586
10
¥9.326285
100
¥8.79838
500
¥8.300355
1000
¥7.830529
型号
SIZ200DT-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIZ200DT-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A
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SIZ200DT-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIZ200DT-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
61A
Pulsed drain current
130A
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
33W
Gate charge
30/28nC
On-state resistance
7.7/7.3mΩ
SIZ200DT-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:939
型号:IRFR9014CPBF
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型号:SI7810DN
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