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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥9.479583
10
¥8.943006
100
¥8.436798
500
¥7.959243
1000
¥7.508722
型号
SIZ320DT-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIZ320DT-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A
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SIZ320DT-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIZ320DT-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
30/40A
Pulsed drain current
80...120A
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
16.7/31W
Gate charge
15/26.7nC
On-state resistance
12.7/6.58mΩ
SIZ320DT-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:212
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