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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥11.837849
10
¥11.167782
100
¥10.53564
500
¥9.939287
1000
¥9.376687
型号
SIZ350DT-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SIZ350DT-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A
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SIZ350DT-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SIZ350DT-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
30A
Pulsed drain current
100A
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
16.7W
Gate charge
20.3nC
On-state resistance
9.44mΩ
SIZ350DT-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:939
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
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