SQA413CEJW-T1_GE3
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VISHAY SQA413CEJW-T1_GE3

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型号

SQA413CEJW-T1_GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SQA413CEJW-T1_GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -7.5A; Idm: -30A

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SQA413CEJW-T1_GE3
SQA413CEJW-T1_GE3 VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -7.5A; Idm: -30A

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SQA413CEJW-T1_GE3详情

VISHAY SQA413CEJW-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    P-MOSFET

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    -20V

  • Drain current

    -7.5A

  • Pulsed drain current

    -30A

  • Gate-source voltage

    ±12V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package1

    tape

  • Kind of package

    reel

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    0.1g

  • Certificates

    RoHS compliant

  • Power dissipation

    13.6W

  • Gate charge

    16nC

  • On-state resistance

    58.6mΩ

0个相似型号

SQA413CEJW-T1_GE3拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
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SUD45P03-10
SI1029X-T1
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TN0201T
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SI7423DN
SI7423DN

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SI2323DS
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