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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥29.525937
10
¥27.85466
100
¥26.277977
500
¥24.790544
1000
¥23.387307
型号
SUP50010E-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SUP50010E-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
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SUP50010E-GE3详情
技术参数
VISHAY SUP50010E-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
150A
Pulsed drain current
500A
Case
TO220AB
Gate-source voltage
±20V
Mounting
THT
Kind of package
tube
Kind of channel
enhanced
Gross weight
2g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
375W
Gate charge
212nC
On-state resistance
2.5mΩ
SUP50010E-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:212
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
型号:SI4559EY
型号:SI7810DN
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