Vishay UGB8AT-E3/45

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-263AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Package Description

R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UGB8AT-E3/45

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

威世半导体

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

5.27

Part Package Code

D2PAK

系列

*

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

应用

EFFICIENCY

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 50 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 8 A

箱体转运

CATHODE

工作温度 - 结点

-55°C ~ 150°C

输出电流-最大值

8 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

50 V

平均整流电流（Io）

8A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

50 V

JEDEC-95代码

TO-263AB

电容@Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

最大非代表Pk前进电流

150 A

反向电流-最大值

10 µA

反向恢复时间-最大值

0.03 µs

反向测试电压

50 V

反向恢复时间(trr)

30 ns