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技术文档
型号
VJ1210A103GLAAT
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-VJ1210A103GLAAT
商品类别
无类别的
封装
TO-220-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
VJ1210A103GLAAT datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel
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VJ1210A103GLAAT详情
技术参数
Vishay VJ1210A103GLAAT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Qg - Gate Charge
268 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
1.65 mOhms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
313 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Pd - Power Dissipation
333 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.068784 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
50
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
FDP020N06B_F102
包装
Tube
系列
FDP020N06B
子类别
MOSFETs
技术
Si
配置
Single
通道数量
1 Channel
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
VJ1210A103GLAAT拓展信息
公司资质
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